ZONE 04 · 이온 주입 · 열처리 AI SEMICONDUCTOR SIMULATION
학교급

이온 주입기 3D

3D IMPLANT
시나리오 1/3
ZONE 03 이어받은 층 구조를 확인하는 중…
RANGE0
ACTIVE0
JUNCTION0
? 를 누르면 무엇인지 알려 줍니다
지금 · 주입 대기
주입 조건 조작손잡이를 초록 구간에 맞춥니다대기 중
1심을 원자를 고릅니다
2얼마나 세게, 얼마나 많이 넣을지 정합니다
주입 에너지 맞음 40keV
10초록 = 알맞은 구간200
도즈 (넣는 양) 맞음 30×10¹⁴
11cm²에 넣는 이온 수100

실습 패널

HANDS-ON
이 시나리오에서 할 일

맞춘 조건 0/2 예상 등급 —
지금 조건이면 이렇게 박힙니다깊이별 농도 · 미리보기
가장 많이 박힌 깊이
0nm
퍼짐 폭
0nm
결정 깨짐
0%

지금 일어나는 일

0%
넣은 양 · 목표 도즈 대비
지난 시간 0초깨진 결정 0%
배속
열처리 (Annealing)
1주입만 해서는 전기가 통하지 않습니다 — 원자가 제자리에 들어가야 합니다 2열을 주면 깨진 결정이 다시 붙고, 심은 원자가 자리를 잡습니다 3그런데 열을 주는 동안 원자가 옆으로 번집니다

열을 더 주면 더 많이 켜지지만 그만큼 더 번집니다. 이 구역은 그 두 가지를 저울질하는 일입니다.

열처리 방식
열처리 온도 맞음 1000℃
800높을수록 잘 켜지고 더 번집니다1100
열처리에 걸리는 시간30초
관찰 기록시도할수록 쌓입니다
아직 기록이 없습니다
AI SEMICONDUCTOR
ISLAND HEXAWORLD EDU
ZONE 04 이온 주입 · 열처리 – AI반도체 시뮬레이션 CERT No. SI-04-000000
미래직업 자격증

이온주입 공정기술사

2급 · 종합 81점
성명:

귀하는 아래와 같이 실리콘에 불순물을 심고 되살렸습니다:

이온 종류와 에너지, 열처리 조건을 스스로 맞추어 규격에 맞는 접합을 형성하였음.

접합 깊이 90nm · 활성화 94% · 결정 회복 97%

도핑 공정을 완성하였음을 인증합니다.

수율
0%
접합 깊이
0nm
활성화율
0%
통과 시나리오
0/3회
발급일: 2026-09-20
HEXAWORLD EDU AI반도체 시뮬레이션 운영위원회
CERTIFICATE
OF ACHIEVEMENT HEXAWORLD EDU
본 자격증은 교육용 콘텐츠 학습 결과를 인증하는 것으로 국가공인 자격이 아닙니다.

이 자격증과 이어지는 실제 직무

반도체 확산·이온주입(Diffusion/Implant) 공정기술 — 도즈와 에너지를 정해 트랜지스터의 소스·드레인과 웰을 만듭니다.
반도체 열처리(RTP) 공정기술 — 활성화와 확산을 저울질해 접합 깊이를 책임집니다.

이름에 ‘반도체’가 들어가는 국가기술자격 : 반도체설비보전기능사 · 반도체커스텀레이아웃산업기사
ZONE 05로 전달→ 도핑된 칩 0개· 접합 0nm· 등급 -